Everspin MR4A16BCMA35由1,048,576字 x 16位構(gòu)成。對于這款并行MRAM來說，數(shù)據(jù)保持期長達20年以上而不會丟失，并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護，以防止在非工作電壓期間寫入。并行MRAM是大多數(shù)手機 、 移動設備、膝上機、PC等數(shù)字產(chǎn)品的存儲器的潛在替代產(chǎn)品。從MRAM芯片技術(shù)的特性上來看，可以預計它將能解決包括計算機或手機啟動慢、數(shù)據(jù)丟失、數(shù)據(jù)裝載緩慢、電池壽命短等問題，明顯改變消費者使用電子沒備的方式。

 

并行MRAM特性
 

+3.3V電源

35 ns快速讀/寫周期

SRAM兼容時序

出色的耐讀/寫能力

在工作溫度范圍內(nèi)數(shù)據(jù)保持期長達20年以上而不會丟失

符合RoHS標準的小外形BGA和TSOP封裝

 

并行mram優(yōu)勢
 

一個存儲器即可替代系統(tǒng)中的閃存、SRAM、EEPROM和BBSRAM，獲得更簡單、高效的設計

替代電池供電的SRAM，提高可靠性

本文關(guān)鍵詞：并行MRAM

 

相關(guān)文章： everspin 并行MRAM芯片MR4A16BMA35R
 

---

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。

英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。