業(yè)界一直在尋求取代SRAM。其中之一包括自旋轉(zhuǎn)移力矩MRAM（STT-MRAM）。新的存儲(chǔ)器帶來(lái)了一些大膽的主張。例如STT-MRAM具有SRAM的速度和閃存的無(wú)波動(dòng)性，具有無(wú)限的耐用性。
   
Everspin已經(jīng)為SSD提供SST-MRAM設(shè)備。此外一些芯片制造商正專(zhuān)注于嵌入式STT-MRAM，它分為兩個(gè)市場(chǎng)，嵌入式閃存替代和緩存。
 
STT-MRAM是具有磁隧道結(jié)（MTJ）存儲(chǔ)器單元的單晶體管架構(gòu)。它利用電子自旋的磁性在芯片中提供非揮發(fā)性特性。寫(xiě)入和讀取功能在MTJ單元中共享相同的并行路徑。
 
為此STT-MRAM正準(zhǔn)備取代嵌入式NOR閃存芯片。此外，STT-MRAM旨在取代SRAM，至少用于L3緩存。STT-MRAM正在不斷發(fā)展，以更密集地嵌入到SoC中，其更小的單元尺寸，更低的待機(jī)功率要求和非易失性提供了一個(gè)引人注目的價(jià)值主張，針對(duì)用作通用板載存儲(chǔ)器和最后級(jí)別的大得多且易變的SRAM緩存。
 
但STT-MRAM的速度還不足以取代SRAM用于L1和/或L2緩存，還包括穩(wěn)定性。我們相信STT-MRAM，訪問(wèn)時(shí)間將在5ns到10ns之間飽和。當(dāng)你進(jìn)入L1和L2緩存時(shí)，我們相信你需要去SOT-MRAM。
 
類(lèi)似于STT-MRAM，SOT-MRAM仍處于研發(fā)階段。不同之處在于SOT-MRAM在器件下集成了SOT層。根據(jù)Imec，它通過(guò)在相鄰的SOT層中注入面內(nèi)電流來(lái)引起層的切換。
 
當(dāng)你切換STT-MRAM，需要通過(guò)MTJ推動(dòng)當(dāng)前，在內(nèi)存主任IMEC。在SOT-MRAM中，你有兩條路徑，一條用于寫(xiě)入，另一條用于讀取。讀取就像STT。你通讀了MTJ。寫(xiě)不是通過(guò)MTJ。這是一個(gè)很大的好處，因?yàn)槟梢匝h(huán)設(shè)備并對(duì)其進(jìn)行優(yōu)化以延長(zhǎng)使用壽命。第二大優(yōu)勢(shì)是速度。我司Everspin代理不同容量的MRAM存儲(chǔ)芯片.
 

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