鐵電隨機存儲器FRAM是一種采用鐵電質薄膜作為電容器以儲存數據的內存，即便在沒有電源的情況下仍可保存數據。FRAM主要結合了ROM和RAM的特性，并擁有高速寫入數據、低功耗和高速讀/寫周期的優(yōu)點。非易失性內存是苛刻環(huán)境下具備高可靠性的汽車和工業(yè)應用的理想之選。
 
富士通去年發(fā)布的2Mbit FRAM MB85RS2MTY已在汽車和工業(yè)設備中獲得廣泛應用，而MB85RS4MTY將其容量提高至4M bit，滿足用戶對更高容量的需求，配有SPI接口，工作電壓為1.8V至3.6V。
 
富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號為MB85RS4MTY的4Mbit FRAM，其容量達到FRAM產品最高水平，運作溫度最高可達125℃。目前可為客戶提供評測版樣品。
 
這款FRAM產品采用業(yè)界標準8-pin SOP封裝，可輕松取代現有類似引腳的EEPROM。還提供8-pin DFN（無引線雙側扁平）封裝。

   
關鍵規(guī)格
組件型號：MB85RS4MT
容量（組態(tài)）：4Mbit（512Kx8位）
接口：SPI（Serial Peripheral Interface）
運作頻率：最高50MHz
運作電壓：1.8V-3.6V
運作溫度范圍：-40°C-+125°C
讀/寫耐久性：10兆次（1013次）
封裝規(guī)格：8-pin DFN，8-pin SOP
 
這款全新富士通鐵電RAM是非易失性內存產品，高溫125℃的環(huán)境下可以達到10兆次讀/寫次數，工作電流低，是工業(yè)機器人和高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）等汽車應用的最佳選擇。
 
由于這款FRAM存儲器工作電流低，即使在125℃高溫下，最大工作電流僅為4mA（運作頻率50MHz），最大掉電模式電流為30µA，因此有助于降低環(huán)境敏感應用的功耗。
 
這款全新FRAM在-40℃至+125℃溫度范圍內可以達到10兆次讀/寫次數，適合某些需要實時數據記錄的應用。例如每0.03毫秒重寫一次數據，同一地址連續(xù)記錄數據可達10年之久。

   
FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存，并已量產20多年，近年來廣泛用于可穿戴設備、工業(yè)機器人和無人機。



富士通Serial FeRAM

Brand	Density	Part Name	Voltage(V)	Operating Temp. (°C)	Package
Fujitsu	4Mb	MB85RQ4ML	1.7 ~ 1.95	-40 ℃ to 85 ℃	SOP-16
Fujitsu	2Mb	MB85RS2MT	1.8 ~ 3.6	-40 ℃ to 85 ℃	SOP-8 DIP-8
Fujitsu	1Mb	MB85RS1MT	1.8 ~ 3.6	-40 ℃ to 85 ℃	SOP-8
Fujitsu	512Kb	MB85RS512T	1.8 ~ 3.6	-40 ℃ to 85 ℃	SOP-8
Fujitsu	256Kb	MB85RS256B	2.7 ~ 3.6	-40 ℃ to 85 ℃	SOP-8
Fujitsu	128Kb	MB85RS128B	2.7 ~ 3.6	-40 ℃ to 85 ℃	SOP-8
Fujitsu	64Kb	MB85RS64V	3.0 ~ 5.5	-40 ℃ to 85 ℃	SOP-8
Fujitsu	64Kb	MB85RS64	2.7 ~ 3.6	-40 ℃ to 85 ℃	SOP-8
Fujitsu	16kb	MB85RDP16LX(*2)	1.65 ~1.95	-40 ℃ to 105℃	SON-8
Fujitsu	16Kb	MB85RS16N	2.7 ~3.6	-40 ℃ to 85 ℃	SOP-8 SON-8
Fujitsu	16Kb	MB85RS16	2.7 ~ 3.6	-40 ℃ to 85 ℃	SOP-8 SON-8

 

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