美光建設新廠 研發(fā)全新技術
2017-10-25 14:32:05
此前，由于美光科技DRAM大廠臺灣桃園廠區(qū)發(fā)生氮氣泄露事件，導致5000至1萬片的晶圓直接報廢，4萬片晶圓則被視為次級品或者報廢品。美光迅速解決并恢復正常生產運作，對之后的產能并沒有產生太大的影響。
8月14日，美光在總部舉辦活動慶祝新廠建設成功。據了解，這個工廠主要用于研發(fā)全新內存以及存儲技術，美光技術開發(fā)執(zhí)行副總裁ScottDeBoer表示，美光的主要DRAM技術研發(fā)中心已經轉入其日本廣島的制造工廠，未來將加速研發(fā)3D NAND以及DRAM全新技術。
由于目前DRAM市場正處于漲潮階段，美光預計2017年會計年度第四季營收同比增長91%，高達61.38億美元，且對于2017年底營收的展望遠超市場預期，預估為63億美元左右。美光執(zhí)行長SanjayMehrotra表示，美光1X納米DRAM和64層3D NAND的良率將于今年年底達到穩(wěn)定階段，從產業(yè)目前情況來看，今年年底前，DRAM以及NAND Flash都將供不應求。
本文關鍵詞：
DRAM
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