?Buffalo Memory推出SS6系列固態(tài)硬盤(pán)，第一次采取美國(guó)公司Everspin生產(chǎn)的最新技術(shù)內(nèi)存“STT-MRAM”作為緩存緩沖。
Everspin新型內(nèi)存STT-MRAM是屬于自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存儲(chǔ)，采用自旋極化電流，以磁狀態(tài)而非電子充電狀態(tài)保存數(shù)據(jù)，與傳統(tǒng)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)(DRAM相比)具有高可靠性、非易失性、超低延遲等特性，海力士、東芝、三星等都在進(jìn)行STT-MRAM的研發(fā)，但目前Everspin是全球唯一家宣布基于pMTJ的ST-MRAM的樣品的公司，該STM MRAM被認(rèn)為是提供最佳可擴(kuò)展性，形狀依賴性和磁性可擴(kuò)展性的MRAM技術(shù)。
眾所周知 ，目前在SSD固態(tài)硬盤(pán)的市場(chǎng)上一般來(lái)說(shuō)是用DRAM作為緩存緩沖的，但是DRAM屬于易失性存儲(chǔ)器，在斷電時(shí)會(huì)丟失數(shù)據(jù)，因此需要再配置超級(jí)電容及備份電池以及高級(jí)掉電保護(hù)技術(shù)，無(wú)論是硬件還是軟件無(wú)疑中都增加了不少成本。
而Everspin生產(chǎn)的STT-MRAM是屬于非易失性存儲(chǔ)器，和NAND閃存一樣就算斷電也能保留緩存的數(shù)據(jù)，并且不需要硬盤(pán)向閃存刷新緩存內(nèi)容。
Buffalo SS6采用了來(lái)自Everspin科技公司的DDR3 ST-MRAM(EMD3D064M)，單顆容量64Mb(8MB)，WBGA封裝，完全兼容JEDEC DDR3接口規(guī)范，頻率最高1600MHz，帶寬最高3.2GB/s，延遲則是納秒級(jí)別的，另外Everspin科技公司開(kāi)發(fā)DDR3 ST-MRAM(EMD3D256M)新產(chǎn)品，單顆容量256Mb(32Mb x 8 or 16Mb x 16)，WBGA封裝。
以下是關(guān)于everspin STT-MRAM 型號(hào)EMD3D064M以及型號(hào) EMD3D256M資料的相關(guān)介紹
The initial 64Mb device is the first product in Everspin's ST-MRAM roadmap that is planned to scale to up to gigabit density and higher speeds.
●.Supports Standard DDR3 SDRAM Features.
●.Standard DDR3 SDRAM compatible footprint and pinouts.
●.400MHz clock.
●.512-bit Page Size.
●.On-Device Termination.
Everspin 64Mb DDR3 Spin-Torque MRAM
The EMD3D064M08B1 is an 8Mb x 8 Spin-Torque MRAM capable of DDR3 operation at rates of up to 800MT/sec/pin.
It is available in a 9 x 13mm BGA package.
Everspin 256Mb DDR3 Spin-Torque MRAM
The EMD3D256M[08G1/16G2] 32Mb x 8 or 16Mb x 16 Spin-Torque MRAM capable of DDR3 operation at rates of up to 1333MT/sec/pin.
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